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据报道，日本嵌入式半导体解决方案公司瑞萨电子（Renesas Electronics）已经完成了 3 纳米（nm）汽车芯片的流片，并由其诺伊达（Noida）和班加罗尔（Bengaluru）团队设计，目前已开始提供样品。

" 我们绝对是印度第一家设计出 3 纳米汽车芯片的公司。" 瑞萨印度区负责人兼副总裁 Malini Narayanamoorthi 在接受《经济时报》（ET）采访时表示。

Narayanamoorthi 表示，样品芯片已经提供给合作伙伴，但商业化上市的时间尚未确定。

瑞萨正与 Murugappa 集团旗下 CG Power 合作，在 Sanand 建设一家 半导体封装与测试（OSAT）工厂。

印度 3nm，势在必得？

今年 5 月，印度信息技术部长 Ashwini Vaishnaw 曾表示，瑞萨将成为印度首个从事 前沿 3 纳米芯片设计 的设计中心。" 在 3 纳米节点进行设计，真正代表了下一代技术。我们此前已经完成过 7 纳米和 5 纳米设计，而这标志着新的里程碑。" 他说道。

Vaishnaw 还透露，英国半导体公司 ARM 在班加罗尔的新研发中心，也将专注于前沿芯片设计，包括先进的 2 纳米 节点。

Vaishnaw 指出，印度拥有全球近 20% 的芯片设计工程师，并依托这一强大的人才基础，政府正在推动印度建立完整的半导体生态系统。

为了促进半导体芯片设计领域的人才发展，印度政府推出了多项举措，例如，全印度技术教育委员会 ( AICTE ) 为 VLSI 设计与技术、集成电路 ( IC ) 制造提供新课程 ; 在半导体设计领域培养 85,000 名熟练技术人员并提供用于设计半导体芯片的 EDA 工具 ; 迄今为止，已有来自 100 所院校的 45,000 多名学生入学。

此外，印度正在 NIELIT Calicut 建立一个熟练人力资源高级研究和培训 ( SMART 实验室，在印度培训 10 万名工程师，目前与 Lam Research、IBM 和普渡大学等行业和大学合作，已培训了 44,000 多名工程师。